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BSO200P03S中文资料

BSO200P03S图片

BSO200P03S外观图

  • 大小：276.08KB
  • 厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述：OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 9.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：54nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2330pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.56W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：PG-DSO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSO200P03SNTBSO200P03STSP000014959

BSO200P03S供应商

更新时间:2022-12-31 05:02:40
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